- Samsung prezentuje pierwsze w branży modele koncepcyjne zHBM i zNAND-O, podkreślając wiodącą pozycję w dziedzinie architektury pamięci nowej generacji przeznaczonej dla infrastruktury HPC i AI.
- Po raz pierwszy w branży zaprezentowano pamięć V10 BV-NAND o ponad 400 warstwach, wykorzystującą technologię łączenia płytek półprzewodnikowych (wafer bonding).
- Plan rozwoju pamięci dla sztucznej inteligencji obejmuje rozwiązania nowej generacji – od pamięci DRAM po pamięć masową klasy enterprise, w tym HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM i PM1763.
- Samsung Electronics, światowy lider zaawansowanych technologii pamięci, zaprezentował dziś podczas konferencji Future of Memory and Storage (FMS) 2026 najnowsze innowacje w zakresie pamięci opartej na sztucznej inteligencji.
Dysponując szeroką wiedzą obejmującą pamięci DRAM, NAND, pamięci masowe klasy enterprise oraz pokrewne technologie półprzewodnikowe, Samsung zaprezentował najnowszą ofertę pamięci dla AI oraz plan rozwoju technologii. W planie znalazły się zapowiedzi koncepcyjnych modeli zHBM i zNAND-O oraz szeroki wachlarz rozwiązań na potrzeby przyszłej infrastruktury AI. Firma jako pierwsza w branży zaprezentowała też pamięć V10 BV-NAND o ponad 400 warstwach. Podczas targów FMS 2026 Samsung przygotował stoisko wzorowane na serwerowniach chmurowych dla AI, na którym można obejrzeć około 30 technologii pamięci i pamięci masowej.
Podczas przemówienia otwierającego wystąpili przedstawiciele kierownictwa dywizji pamięci Samsung: Jin-Yub Lee, wiceprezes wykonawczy i szef działu produktów oraz technologii Flash, a także Kyungryun Kim, wiceprezes i lider projektu w zespole projektowania pamięci DRAM. Ich wystąpienie dotyczyło struktur 3D nowej generacji w przyszłych rozwiązaniach pamięci.
W prezentacji zatytułowanej „Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture” („Na fali rewolucji AI: innowacje 3D w architekturze pamięci i pamięci masowej”) Samsung przedstawił swoją wizję maksymalizacji wydajności systemów AI oraz ich efektywności energetycznej, przy jednoczesnym zaspokajaniu szybko rosnących potrzeb w zakresie obliczeń o wysokiej wydajności (HPC) oraz infrastruktury AI.
Firma zaprezentowała także pamięć V10 BV-NAND, opartą na nowej technologii łączenia płytek (wafer bonding) – to pierwsze takie rozwiązanie w branży.
Wizja Samsung dla pamięci 3D nowej generacji
Na targach FMS 2026 Samsung zaprezentował pierwsze w branży modele koncepcyjne zHBM i zNAND-O, przedstawiając swoją wizję architektury pamięci 3D nowej generacji.
Technologia zHBM została zaprojektowana z myślą o zaawansowanych obliczeniach AI. To nowa architektura pamięci, w której moduły HBM są ułożone pionowo, bezpośrednio nad akceleratorami AI – inaczej niż w dotychczasowych rozwiązaniach, gdzie HBM znajduje się obok procesora.
Dzięki zmniejszeniu odległości, jaką pokonują dane między procesorem AI a pamięcią, technologia zHBM ma zapewniać większą przepustowość i lepszą efektywność energetyczną, umożliwiając ultraszybkie przetwarzanie danych niezbędne do trenowania modeli AI i wnioskowania na dużą skalę.
System interfejsu nowej generacji wykorzystujący zHBM ma osiągać wydajność około ośmiokrotnie wyższą niż HBM5. Dzięki technologii łączenia płytek nowej generacji zHBM może uzyskać ponad dziesięciokrotnie większą gęstość pamięci niż HBM5, przy trzykrotnie wyższej efektywności energetycznej i ponad dwukrotnie niższej rezystancji termicznej. Maksymalizuje to stabilność i efektywność energetyczną systemów o dużej pojemności i wysokiej przepustowości.
Technologia zHBM obsługuje również projekty dostosowane do potrzeb klientów, umożliwiając integrację niestandardowych układów IP w warstwie pośredniej między pamięcią a akceleratorem AI, co zwiększa pojemność pamięci i poprawy wydajność akceleratora.
W ścisłej współpracy z klientami Samsung planuje dalej optymalizować integrację procesorów AI i pamięci za pomocą zHBM, aby zmaksymalizować wydajność systemów AI.
Firma zaprezentowała również zNAND-O, wysokowydajne rozwiązanie NAND nowej generacji oparte na technologii V-NAND, opracowywane obecnie w wersjach cztero- i ośmiowarstwowej. Dzięki połączeniu wysokiej efektywności wykorzystania przestrzeni, zwiększonej wydajności operacji wejścia/wyjścia oraz niskiego opóźnienia, zNAND-O jest zoptymalizowane pod kątem środowisk edge AI, obsługujących aplikacje AI działające w czasie rzeczywistym i wymagające intensywnego przetwarzania danych.
Pierwsza w branży pamięć V10 BV-NAND
Samsung zaprezentował pamięć V10 BV-NAND, wykorzystującą nową architekturę Bonding V-NAND. Ogłoszenie to nastąpiło 13 lat po tym, jak firma przedstawiła pierwszą w branży technologię V-NAND podczas Flash Memory Summit w 2013 roku, co stanowi kolejny kamień milowy w historii innowacji firmy w dziedzinie pamięci NAND.
Dzięki ponad 400 warstwom pamięć V10 BV-NAND zapewnia wyższą wydajność i energooszczędność, jednocześnie znacznie zwiększając gęstość zapisu. Stosując technologię łączenia płytek półprzewodnikowych do układania komórek pamięci, Samsung zwiększył gęstość pamięci o około 58% w porównaniu z poprzednią generacją (V9).
Oprócz zwiększonej liczby warstw pamięć V10 BV-NAND zapewnia również wyższą wydajność odczytu, zapisu i operacji wejścia/wyjścia w porównaniu z poprzednią generacją, umożliwiając wykorzystanie wysokowydajnych pamięci NAND o dużej pojemności w przyszłych systemach i aplikacjach AI.
Plan rozwoju pamięci AI: od HBM przez PIM do pamięci masowej klasy enterprise
Samsung przedstawił również najnowszą ofertę pamięci i pamięci masowej dla AI, w tym HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM oraz PM1763 – prezentując jednocześnie swoją strategię rozwoju obliczeń AI nowej generacji oraz infrastruktury centrów danych.
Po uruchomieniu w lutym pierwszej w branży masowej produkcji HBM4 z wykorzystaniem technologii 1c DRAM oraz 4-nanometrowych (nm) układów bazowych, Samsung jako pierwszy rozpoczął w maju dostawy próbek HBM4E do klientów na całym świecie, umacniając swoją pozycję lidera w dziedzinie pamięci HBM nowej generacji.
Oprócz próbek HBM4E i modelu HBM5 firma zaprezentowała LPDDR5X-PIM – pierwszą w branży pamięć LPDDR wyposażoną w technologię przetwarzania w pamięci (PIM). Nowe rozwiązanie przetwarza dane bezpośrednio w pamięci, co poprawia efektywność zarówno przepływu danych, jak i zużycia energii.
Na wystawie znalazły się także najnowsze rozwiązania Samsunga w pamięci masowej klasy enterprise – w tym modele PM1763 i BM1773 – zaprojektowane, by zaspokoić rosnące potrzeby centrów danych AI dotyczące pamięci masowej.
Kompleksowe rozwiązania pod klucz
Jako jedyny na świecie producent układów (IDM) o wiodących w branży kompetencjach w obszarze pamięci, produkcji kontraktowej półprzewodników (foundry) oraz zaawansowanych technologiach pakowania, Samsung przedstawił strategię dla infrastruktury AI nowej generacji, która zapewnia klientom kompleksowe, gotowe do użycia rozwiązania odpowiadające na zmieniające się potrzeby ery AI.
Od projektu produktu po produkcję masową Samsung oferuje zintegrowane usługi rozwoju i wytwarzania, które pomagają skrócić cykle projektowe oraz optymalizować wydajność i efektywność energetyczną. Dzięki temu klienci mogą szybko wprowadzać na rynek wyróżniające się rozwiązania półprzewodnikowe dla AI.